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    Titel:

    GaN metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor with atomic layer deposited Al2O3 as gate dielectric

    Beteiligte:

    Wu, Y. Q. (Autor:in) / Ye, P. D. (Autor:in) / Wilk, G. D. (Autor:in) / Yang, B. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 135 ; 282-284

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2006

    Format / Umfang:

    3 pages

    ISSN:

    0921-5107

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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