Characterization of Electrical Properties in High-Dose Implanted and Post-Implantation-Annealed 4H-SiC Wafers using Infrared Reflectance Spectroscopy: Fid-Bau Portal

Characterization of Electrical Properties in High-Dose Implanted and Post-Implantation-Annealed 4H-SiC Wafers using Infrared Reflectance Spectroscopy

Narita, K. / Hijikata, Y. / Yaguchi, H. / Yoshida, S. / Senzaki, J. / Nakashima, S.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Characterization of Electrical Properties in High-Dose Implanted and Post-Implantation-Annealed 4H-SiC Wafers using Infrared Reflectance Spectroscopy

Narita, K. / Hijikata, Y. / Yaguchi, H. / Yoshida, S. / Senzaki, J. / Nakashima, S.

Characterization of Electrical Properties in High-Dose Implanted and Post-Implantation-Annealed 4H-SiC Wafers using Infrared Reflectance Spectroscopy

Narita, K. / Hijikata, Y. / Yaguchi, H. / Yoshida, S. / Senzaki, J. / Nakashima, S.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Dokumentinformationen

Titel:

Characterization of Electrical Properties in High-Dose Implanted and Post-Implantation-Annealed 4H-SiC Wafers using Infrared Reflectance Spectroscopy

Beteiligte:

Narita, K. (Autor:in) / Hijikata, Y. (Autor:in) / Yaguchi, H. (Autor:in) / Yoshida, S. (Autor:in) / Senzaki, J. (Autor:in) / Nakashima, S. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 457/460 ; 905-908

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

Nipoti, R. / Nath, A. / Rao, M.V. et al. | British Library Online Contents | 2012

Buried-oxide layer formation by high-dose oxygen-ion implantation into Si wafers: SIMOX (separation by implanted oxygen)

Kajiyama, K. | British Library Online Contents | 1995

Comparison of high temperature annealed Czochralski silicon wafers and epitaxial wafers

Graef, D. / Lambert, U. / Brohl, M. et al. | British Library Online Contents | 1996

Electrical and Structural Properties of Al-Implanted and Annealed 4H-SiC

Obernhofer, M. / Krieger, M. / Schmid, F. et al. | British Library Online Contents | 2007

Micro-Structural and Electrical Properties of Al-Implanted & Lamp-Annealed 4H-SiC

Nakamura, H. / Watanabe, H. / Yamazaki, J. et al. | British Library Online Contents | 2002

Nach oben