Analysis of Structural Defects in the 4H-SiC Epilayers and their Influence on the Electrical Properties: Fid-Bau Portal

Analysis of Structural Defects in the 4H-SiC Epilayers and their Influence on the Electrical Properties

Izumi, S. / Kamata, I. / Tawara, T. / Fujisawa, H. / Tsuchida, H.

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Titel:

Analysis of Structural Defects in the 4H-SiC Epilayers and their Influence on the Electrical Properties

Beteiligte:

Izumi, S. (Autor:in) / Kamata, I. (Autor:in) / Tawara, T. (Autor:in) / Fujisawa, H. (Autor:in) / Tsuchida, H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 457/460 ; 1085-1088

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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