Characteristics of 6H-SiC Bipolar JTE Diodes Realized by Sublimation Epitaxy and Al Implantation: Fid-Bau Portal

Characteristics of 6H-SiC Bipolar JTE Diodes Realized by Sublimation Epitaxy and Al Implantation

Strel chuk, A. M. / Lebedev, A. A. / Davydov, D. V. / Savkina, N. S. / Kuznetsov, A. N. / Valakh, M. Y. / Kiselev, V. S. / Romanyuk, B. N. / Raynaud, C. / Chante, J. P.

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Titel:

Characteristics of 6H-SiC Bipolar JTE Diodes Realized by Sublimation Epitaxy and Al Implantation

Beteiligte:

Strel chuk, A. M. (Autor:in) / Lebedev, A. A. (Autor:in) / Davydov, D. V. (Autor:in) / Savkina, N. S. (Autor:in) / Kuznetsov, A. N. (Autor:in) / Valakh, M. Y. (Autor:in) / Kiselev, V. S. (Autor:in) / Romanyuk, B. N. (Autor:in) / Raynaud, C. (Autor:in) / Chante, J. P. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 457/460 ; 1133-1136

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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