Deep Level Investigation by Current and Capacitance Transient Spectroscopy in 4H-SiC MESFETs on Semi-Insulating Substrates: Fid-Bau Portal

Deep Level Investigation by Current and Capacitance Transient Spectroscopy in 4H-SiC MESFETs on Semi-Insulating Substrates

Gassoumi, M. / Sghaier, N. / Dermoul, I. / Chekir, F. / Maaref, H. / Bluet, J. M. / Guillot, G. / Morvan, E. / Noblanc, O. / Dua, C.

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Gassoumi, M. / Sghaier, N. / Dermoul, I. / Chekir, F. / Maaref, H. / Bluet, J. M. / Guillot, G. / Morvan, E. / Noblanc, O. / Dua, C.

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Gassoumi, M. / Sghaier, N. / Dermoul, I. / Chekir, F. / Maaref, H. / Bluet, J. M. / Guillot, G. / Morvan, E. / Noblanc, O. / Dua, C.

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Titel:

Deep Level Investigation by Current and Capacitance Transient Spectroscopy in 4H-SiC MESFETs on Semi-Insulating Substrates

Beteiligte:

Gassoumi, M. (Autor:in) / Sghaier, N. (Autor:in) / Dermoul, I. (Autor:in) / Chekir, F. (Autor:in) / Maaref, H. (Autor:in) / Bluet, J. M. (Autor:in) / Guillot, G. (Autor:in) / Morvan, E. (Autor:in) / Noblanc, O. (Autor:in) / Dua, C. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 457/460 ; 1185-1188

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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