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Quantification of nitrogen profiles in HfSiON films for gate dielectrics

Yamamoto, T. / Miyamoto, T. / Karen, A.

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Titel:

Quantification of nitrogen profiles in HfSiON films for gate dielectrics

Beteiligte:

Yamamoto, T. (Autor:in) / Miyamoto, T. (Autor:in) / Karen, A. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 231/232 ; 561-564

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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