Study on changes in the structure of HfSiO and HfSiON dielectrics with different annealing temperature by photoelectron spectroscopy: Fid-Bau Portal

Study on changes in the structure of HfSiO and HfSiON dielectrics with different annealing temperature by photoelectron spectroscopy

Yang, X. M. / Yu, T. / Wu, X. M. / zhuge, L. J. / Ge, S. B. / He, J. J.

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Titel:

Study on changes in the structure of HfSiO and HfSiON dielectrics with different annealing temperature by photoelectron spectroscopy

Beteiligte:

Yang, X. M. (Autor:in) / Yu, T. (Autor:in) / Wu, X. M. (Autor:in) / zhuge, L. J. (Autor:in) / Ge, S. B. (Autor:in) / He, J. J. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 257 ; 9277-9281

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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