X-ray photoelectron spectroscopy characterisation of high-k dielectric Al2O3 and HfO2 layers deposited on SiO2/Si surface: Fid-Bau Portal

X-ray photoelectron spectroscopy characterisation of high-k dielectric Al2O3 and HfO2 layers deposited on SiO2/Si surface

Vitchev, R. G. / Pireaux, J. J. / Conard, T. / Bender, H. / Wolstenholme, J. / Defranoux, C.

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Titel:

X-ray photoelectron spectroscopy characterisation of high-k dielectric Al2O3 and HfO2 layers deposited on SiO2/Si surface

Beteiligte:

Vitchev, R. G. (Autor:in) / Pireaux, J. J. (Autor:in) / Conard, T. (Autor:in) / Bender, H. (Autor:in) / Wolstenholme, J. (Autor:in) / Defranoux, C. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 235 ; 21-25

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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