Electron states at the (100)Ge/HfO2 Interface: Fid-Bau Portal

Electron states at the (100)Ge/HfO2 Interface

Afanas'ev, V. V. / Fedorenko, Y. G. / Stesmans, A.

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Titel:

Electron states at the (100)Ge/HfO2 Interface

Beteiligte:

Afanas'ev, V. V. (Autor:in) / Fedorenko, Y. G. (Autor:in) / Stesmans, A. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 7 ; 191-196

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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