Interface characterization and current conduction in HfO2-gated MOS capacitors: Fid-Bau Portal

Interface characterization and current conduction in HfO2-gated MOS capacitors

Chen, H. W. / Chiu, F. C. / Liu, C. H. / Chen, S. Y. / Huang, H. S. / Juan, P. C. / Hwang, H. L.

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Titel:

Interface characterization and current conduction in HfO2-gated MOS capacitors

Beteiligte:

Chen, H. W. (Autor:in) / Chiu, F. C. (Autor:in) / Liu, C. H. (Autor:in) / Chen, S. Y. (Autor:in) / Huang, H. S. (Autor:in) / Juan, P. C. (Autor:in) / Hwang, H. L. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 254 ; 6112-6115

Erscheinungsdatum:

01.01.2008

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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