Strain relaxation of epitaxial SiGe layer and Ge diffusion during Ni silicidation on cap-Si/SiGe/Si(001): Fid-Bau Portal

Strain relaxation of epitaxial SiGe layer and Ge diffusion during Ni silicidation on cap-Si/SiGe/Si(001)

Jang, C. H. / Sardela, M. R. / Kim, S. H. / Song, Y. J. / Lee, N. E.

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Titel:

Strain relaxation of epitaxial SiGe layer and Ge diffusion during Ni silicidation on cap-Si/SiGe/Si(001)

Beteiligte:

Jang, C. H. (Autor:in) / Sardela, M. R. (Autor:in) / Kim, S. H. (Autor:in) / Song, Y. J. (Autor:in) / Lee, N. E. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 252 ; 5326-5330

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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