Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Formation of erbium-silicide as source and drain for decananometer-scale Schottky barrier metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

    Neue Suche nach: Jang, M.
    Neue Suche nach: Kim, Y.
    Neue Suche nach: Shin, J.
    Neue Suche nach: Lee, S.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Formation of erbium-silicide as source and drain for decananometer-scale Schottky barrier metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

    Neue Suche nach: Jang, M.
    Neue Suche nach: Kim, Y.
    Neue Suche nach: Shin, J.
    Neue Suche nach: Lee, S.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Formation of erbium-silicide as source and drain for decananometer-scale Schottky barrier metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

    Neue Suche nach: Jang, M.
    Neue Suche nach: Kim, Y.
    Neue Suche nach: Shin, J.
    Neue Suche nach: Lee, S.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Formation of erbium-silicide as source and drain for decananometer-scale Schottky barrier metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

    Beteiligte:

    Jang, M. (Autor:in) / Kim, Y. (Autor:in) / Shin, J. (Autor:in) / Lee, S. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 114/115 ; 51-55

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2004

    Format / Umfang:

    5 pages

    ISSN:

    0921-5107

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Impact of heavy ions on a-Si:H/PolySi bilayer thin film transistors with Schottky barrier source and drain based on Nickel Silicide

    Deepak K. Sharma / Vivek Kumar | DOAJ | 2024

    Freier Zugriff

    Simulations of Schottky-barrier nanowire field effect transistors

    Jaehyun Lee, / Chiyui Ahn, / Mincheol Shin, | IEEE | 2006

    Device simulation for decananometer MOSFETs

    Sangiorgi, E. / Palestri, P. / Esseni, D. et al. | British Library Online Contents | 2003

    Schottky-Barrier Formation at Single-Crystal Metal-Semiconductor Interfaces

    Tung, R. T. | Springer Verlag | 1990

    Schottky-Ohmic Transition in Nickel Silicide/SiC-4H System: the Effect of Non Uniform Schottky Barrier

    La Via, F. / Roccaforte, F. / Raineri, V. et al. | British Library Online Contents | 2004

    Nach oben