Modeling and characterization of atomically sharp "perfect" Ge/SiO2 interfaces: Fid-Bau Portal

Modeling and characterization of atomically sharp "perfect" Ge/SiO2 interfaces

Windl, W. / Liang, T. / Lopatin, S. / Duscher, G.

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Titel:

Modeling and characterization of atomically sharp "perfect" Ge/SiO2 interfaces

Beteiligte:

Windl, W. (Autor:in) / Liang, T. (Autor:in) / Lopatin, S. (Autor:in) / Duscher, G. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 114/115 ; 156-161

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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