Application of selective epitaxy for formation of ultra shallow SiGe-based junctions: Fid-Bau Portal

Application of selective epitaxy for formation of ultra shallow SiGe-based junctions

Hallstedt, J. / Isheden, C. / Ostling, M. / Baubinas, R. / Matukas, J. / Palenskis, V. / Radamson, H. H.

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Titel:

Application of selective epitaxy for formation of ultra shallow SiGe-based junctions

Beteiligte:

Hallstedt, J. (Autor:in) / Isheden, C. (Autor:in) / Ostling, M. (Autor:in) / Baubinas, R. (Autor:in) / Matukas, J. (Autor:in) / Palenskis, V. (Autor:in) / Radamson, H. H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 114/115 ; 180-183

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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