The Structural and Photoluminescence Character of InAs Quantum Dots Grown on a Combined InAlAs and GaAs Strained Buffer Layer: Fid-Bau Portal

The Structural and Photoluminescence Character of InAs Quantum Dots Grown on a Combined InAlAs and GaAs Strained Buffer Layer

Shi, G. X. / Xu, B. / Jin, P. / Ye, X. L. / Cui, C. X. / Zhang, C. L. / Wu, J. / Wang, Z. G.

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Titel:

The Structural and Photoluminescence Character of InAs Quantum Dots Grown on a Combined InAlAs and GaAs Strained Buffer Layer

Beteiligte:

Shi, G. X. (Autor:in) / Xu, B. (Autor:in) / Jin, P. (Autor:in) / Ye, X. L. (Autor:in) / Cui, C. X. (Autor:in) / Zhang, C. L. (Autor:in) / Wu, J. (Autor:in) / Wang, Z. G. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 475/479 ; 1791-1794

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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