Strained-silicon MOSFET process technology-control of impurity and germanium atoms at the hetero-interface: Fid-Bau Portal

Strained-silicon MOSFET process technology-control of impurity and germanium atoms at the hetero-interface

Sugii, N. / Kimura, Y. / Kimura, S. i. / Irieda, S. / Morioka, J. / Inada, T.

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Titel:

Strained-silicon MOSFET process technology-control of impurity and germanium atoms at the hetero-interface

Beteiligte:

Sugii, N. (Autor:in) / Kimura, Y. (Autor:in) / Kimura, S. i. (Autor:in) / Irieda, S. (Autor:in) / Morioka, J. (Autor:in) / Inada, T. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 8 ; 89-95

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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