Interface state density evaluation of high quality hetero-epitaxial 3C-SiC(001) for high-power MOSFET applications: Fid-Bau Portal

Interface state density evaluation of high quality hetero-epitaxial 3C-SiC(001) for high-power MOSFET applications

Anzalone, R. / Privitera, S. / Camarda, M. / Alberti, A. / Mannino, G. / Fiorenza, P. / Di Franco, S. / La Via, F.

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Titel:

Interface state density evaluation of high quality hetero-epitaxial 3C-SiC(001) for high-power MOSFET applications

Beteiligte:

Anzalone, R. (Autor:in) / Privitera, S. (Autor:in) / Camarda, M. (Autor:in) / Alberti, A. (Autor:in) / Mannino, G. (Autor:in) / Fiorenza, P. (Autor:in) / Di Franco, S. (Autor:in) / La Via, F. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B ADVANCED FUNCTIONAL SOLID STATE MATERIALS ; 198 ; 14-19

Erscheinungsdatum:

01.01.2015

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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