A comparative analysis of thermal gate oxide on strained Si/relaxed SiGe layer for reliability prediction of strained Si MOSFETs: Fid-Bau Portal

A comparative analysis of thermal gate oxide on strained Si/relaxed SiGe layer for reliability prediction of strained Si MOSFETs

Lee, S. G. / Kim, Y. P. / Lee, H. L. / Jin, B. J. / Lee, J. W. / Shin, Y. G. / Choi, S. / Chung, U. I. / Moon, J. T.

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Titel:

A comparative analysis of thermal gate oxide on strained Si/relaxed SiGe layer for reliability prediction of strained Si MOSFETs

Beteiligte:

Lee, S. G. (Autor:in) / Kim, Y. P. (Autor:in) / Lee, H. L. (Autor:in) / Jin, B. J. (Autor:in) / Lee, J. W. (Autor:in) / Shin, Y. G. (Autor:in) / Choi, S. (Autor:in) / Chung, U. I. (Autor:in) / Moon, J. T. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 8 ; 215-218

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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