Spectroscopic techniques for characterization of high-mobility strained-Si CMOS: Fid-Bau Portal

Spectroscopic techniques for characterization of high-mobility strained-Si CMOS

Schmidt, J. / Vogg, G. / Bensch, F. / Kreuzer, S. / Ramm, P. / Zollner, S. / Liu, R. / Wennekers, P.

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Titel:

Spectroscopic techniques for characterization of high-mobility strained-Si CMOS

Beteiligte:

Schmidt, J. (Autor:in) / Vogg, G. (Autor:in) / Bensch, F. (Autor:in) / Kreuzer, S. (Autor:in) / Ramm, P. (Autor:in) / Zollner, S. (Autor:in) / Liu, R. (Autor:in) / Wennekers, P. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 8 ; 267-271

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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