2-Inch 4H-SiC Homoepitaxial Layer Grown on On-Axis C-Face Substrate by CVD Method: Fid-Bau Portal

2-Inch 4H-SiC Homoepitaxial Layer Grown on On-Axis C-Face Substrate by CVD Method

Kojima, K. / Okumura, H. / Kuroda, S. / Arai, K. / Ohi, A. / Akinaga, H.

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Titel:

2-Inch 4H-SiC Homoepitaxial Layer Grown on On-Axis C-Face Substrate by CVD Method

Beteiligte:

Kojima, K. (Autor:in) / Okumura, H. (Autor:in) / Kuroda, S. (Autor:in) / Arai, K. (Autor:in) / Ohi, A. (Autor:in) / Akinaga, H. (Autor:in) / Nipoti, R. / Poggi, A. / Scorzoni, A.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2004 ; 93-96

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 483/485

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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