4H-SiC Epitaxial Layers Grown on On-Axis Si-Face Substrate: Fid-Bau Portal

4H-SiC Epitaxial Layers Grown on On-Axis Si-Face Substrate

Hassan, J. / Bergman, J. P. / Henry, A. / Pedersen, H. / McNally, P. J. / Janzen, E.

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Titel:

4H-SiC Epitaxial Layers Grown on On-Axis Si-Face Substrate

Beteiligte:

Hassan, J. (Autor:in) / Bergman, J. P. (Autor:in) / Henry, A. (Autor:in) / Pedersen, H. (Autor:in) / McNally, P. J. (Autor:in) / Janzen, E. (Autor:in) / Wright, N. / Johnson, C. M. / Vassilevski, K. / Nikitina, I.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2006 ; 53-56

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 556/557

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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