Homoepitaxial Growth of 4H-SiC on On-Axis Si-Face Substrates Using Chloride-Based CVD: Fid-Bau Portal

Homoepitaxial Growth of 4H-SiC on On-Axis Si-Face Substrates Using Chloride-Based CVD

Leone, S. / Pedersen, H. / Henry, A. / Kordina, O. / Janzen, E.

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Titel:

Homoepitaxial Growth of 4H-SiC on On-Axis Si-Face Substrates Using Chloride-Based CVD

Beteiligte:

Leone, S. (Autor:in) / Pedersen, H. (Autor:in) / Henry, A. (Autor:in) / Kordina, O. (Autor:in) / Janzen, E. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 600/603 ; 107-110

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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