Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Reduction of Fluoride Species and Surface Roughness by H~2 Gas Addition in SiC Dry Etching

    Neue Suche nach: Mikami, H.
    Neue Suche nach: Horie, Y.
    Neue Suche nach: Hatayama, T.
    Neue Suche nach: Yano, H.
    Neue Suche nach: Uraoka, Y.
    Neue Suche nach: Fuyuki, T.
    Neue Suche nach: Nipoti, R.
    Neue Suche nach: Poggi, A.
    Neue Suche nach: Scorzoni, A.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Reduction of Fluoride Species and Surface Roughness by H~2 Gas Addition in SiC Dry Etching

    Neue Suche nach: Mikami, H.
    Neue Suche nach: Horie, Y.
    Neue Suche nach: Hatayama, T.
    Neue Suche nach: Yano, H.
    Neue Suche nach: Uraoka, Y.
    Neue Suche nach: Fuyuki, T.
    Neue Suche nach: Nipoti, R.
    Neue Suche nach: Poggi, A.
    Neue Suche nach: Scorzoni, A.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Reduction of Fluoride Species and Surface Roughness by H~2 Gas Addition in SiC Dry Etching

    Neue Suche nach: Mikami, H.
    Neue Suche nach: Horie, Y.
    Neue Suche nach: Hatayama, T.
    Neue Suche nach: Yano, H.
    Neue Suche nach: Uraoka, Y.
    Neue Suche nach: Fuyuki, T.
    Neue Suche nach: Nipoti, R.
    Neue Suche nach: Poggi, A.
    Neue Suche nach: Scorzoni, A.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Reduction of Fluoride Species and Surface Roughness by H~2 Gas Addition in SiC Dry Etching

    Beteiligte:

    Mikami, H. (Autor:in) / Horie, Y. (Autor:in) / Hatayama, T. (Autor:in) / Yano, H. (Autor:in) / Uraoka, Y. (Autor:in) / Fuyuki, T. (Autor:in) / Nipoti, R. / Poggi, A. / Scorzoni, A.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2004 ; 757-760

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 483/485

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2005

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Reduction of Surface Roughness of 4H-SiC by Catalyst-Referred Etching

    Okamoto, T. / Sano, Y. / Hara, H. et al. | British Library Online Contents | 2010

    Pressure controlled surface roughness of SiC plasma etching

    Kim, B. / Lee, B.-T. | British Library Online Contents | 2004

    Theoretical analysis of silicon surface roughness induced by plasma etching

    Tyagi, R. K. | British Library Online Contents | 2013

    Etching and morphology of poly(vinylidene fluoride)

    Vaughan, A. S. | British Library Online Contents | 1993

    Si(100) Etching in Alkaline Fluoride Solution

    Chu, Q.-m. / Liu, X. / Zhang, P.-x. et al. | British Library Online Contents | 2012

    Nach oben