Gamma and Proton Irradiation Effects on 4H-SiC Depletion-Mode Trench JFETs: Fid-Bau Portal

Gamma and Proton Irradiation Effects on 4H-SiC Depletion-Mode Trench JFETs

Merrett, J. N. / Williams, J. R. / Cressler, J. D. / Sutton, A. / Cheng, L. / Bondarenko, V. / Sankin, I. / Seale, D. / Mazzola, M. S. / Krishnan, B.

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Merrett, J. N. / Williams, J. R. / Cressler, J. D. / Sutton, A. / Cheng, L. / Bondarenko, V. / Sankin, I. / Seale, D. / Mazzola, M. S. / Krishnan, B.

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Merrett, J. N. / Williams, J. R. / Cressler, J. D. / Sutton, A. / Cheng, L. / Bondarenko, V. / Sankin, I. / Seale, D. / Mazzola, M. S. / Krishnan, B.

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Titel:

Gamma and Proton Irradiation Effects on 4H-SiC Depletion-Mode Trench JFETs

Beteiligte:

Merrett, J. N. (Autor:in) / Williams, J. R. (Autor:in) / Cressler, J. D. (Autor:in) / Sutton, A. (Autor:in) / Cheng, L. (Autor:in) / Bondarenko, V. (Autor:in) / Sankin, I. (Autor:in) / Seale, D. (Autor:in) / Mazzola, M. S. (Autor:in) / Krishnan, B. (Autor:in)

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2004 ; 885-888

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 483/485

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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