Thermal-induced normal grain growth mechanism in LPCVD polysilicon film: Fid-Bau Portal

Thermal-induced normal grain growth mechanism in LPCVD polysilicon film

Akhtar, J. / Lamichhane, S. K. / Sen, P.

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Titel:

Thermal-induced normal grain growth mechanism in LPCVD polysilicon film

Beteiligte:

Akhtar, J. (Autor:in) / Lamichhane, S. K. (Autor:in) / Sen, P. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 8 ; 476-482

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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