Improved thermal stability and hole mobilities in a strained-Si/strained-Si1-yGey/strained-Si heterostructure grown on a relaxed Si1-xGex buffer: Fid-Bau Portal

Improved thermal stability and hole mobilities in a strained-Si/strained-Si1-yGey/strained-Si heterostructure grown on a relaxed Si1-xGex buffer

Gupta, S. / Lee, M. L. / Isaacson, D. M. / Fitzgerald, E. A.

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Titel:

Improved thermal stability and hole mobilities in a strained-Si/strained-Si1-yGey/strained-Si heterostructure grown on a relaxed Si1-xGex buffer

Beteiligte:

Gupta, S. (Autor:in) / Lee, M. L. (Autor:in) / Isaacson, D. M. (Autor:in) / Fitzgerald, E. A. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 124-125 ; 102-106

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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