New fabrication of a strained Si/Si1-yGey dual channel on a relaxed Si1-xGex virtual substrate using a Ge-rich layer formed by oxidation: Fid-Bau Portal

New fabrication of a strained Si/Si1-yGey dual channel on a relaxed Si1-xGex virtual substrate using a Ge-rich layer formed by oxidation

Kim, S. H. / Bae, H. C. / Lee, S. H.

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Titel:

New fabrication of a strained Si/Si1-yGey dual channel on a relaxed Si1-xGex virtual substrate using a Ge-rich layer formed by oxidation

Beteiligte:

Kim, S. H. (Autor:in) / Bae, H. C. (Autor:in) / Lee, S. H. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 254 ; 6025-6029

Erscheinungsdatum:

01.01.2008

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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