Analysis of carrier generation lifetime in strained-Si/SiGe heterojunction MOSFETs from capacitance transient: Fid-Bau Portal

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Analysis of carrier generation lifetime in strained-Si/SiGe heterojunction MOSFETs from capacitance transient

Bera, L. K. / Mathew, S. / Balasubramanian, N. / Braithwaite, G. / Currie, M. T. / Singaporewala, F. / Yap, J. / Hammond, R. / Lochtefeld, A. / Bulsara, M. T.

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Titel:

Analysis of carrier generation lifetime in strained-Si/SiGe heterojunction MOSFETs from capacitance transient

Beteiligte:

Bera, L. K. (Autor:in) / Mathew, S. (Autor:in) / Balasubramanian, N. (Autor:in) / Braithwaite, G. (Autor:in) / Currie, M. T. (Autor:in) / Singaporewala, F. (Autor:in) / Yap, J. (Autor:in) / Hammond, R. (Autor:in) / Lochtefeld, A. (Autor:in) / Bulsara, M. T. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 224 ; 278-282

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Print

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

© Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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