Characteristics of silicon p-n junction formed by ion implantation with in situ ultrasound treatment: Fid-Bau Portal

Characteristics of silicon p-n junction formed by ion implantation with in situ ultrasound treatment

Melnik, V. P. / Olikh, Y. M. / Popov, V. G. / Romanyuk, B. M. / Goltvyanskii, Y. V. / Evtukh, A. A.

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Titel:

Characteristics of silicon p-n junction formed by ion implantation with in situ ultrasound treatment

Beteiligte:

Melnik, V. P. (Autor:in) / Olikh, Y. M. (Autor:in) / Popov, V. G. (Autor:in) / Romanyuk, B. M. (Autor:in) / Goltvyanskii, Y. V. (Autor:in) / Evtukh, A. A. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 124-125 ; 327-330

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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