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    Dokumentinformationen
    Titel:

    b-FeSi2 based metal-insulator-semiconductor devices formed by sputtering for optoelectronic applications

    Beteiligte:

    Ootsuka, T. (Autor:in) / Liu, Z. (Autor:in) / Osamura, M. (Autor:in) / Fukuzawa, Y. (Autor:in) / Otogawa, N. (Autor:in) / Nakayama, Y. (Autor:in) / Tanoue, H. (Autor:in) / Makita, Y. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 124-125 ; 449-452

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2005

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0921-5107

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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