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    Titel:

    Capacitance–voltage profile characteristics of Schottky barrier structure with InAs quantum dots grown on InAlAs/InP(001)

    Beteiligte:

    Baira, M. (Autor:in) / Ajjel, R. (Autor:in) / Maaref, H. (Autor:in) / Salem, B. (Autor:in) / Brémond, G. (Autor:in) / Gendry, M. (Autor:in) / Marty, O. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -AMSTERDAM THEN LAUSANNE- C ; 26 ; 583-585

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2006

    Format / Umfang:

    3 pages

    ISSN:

    0928-4931

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.1 / 660

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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