The impact of electron beam damage on the detection of indium-rich localisation centres in InGaN quantum wells using transmission electron microscopy: Fid-Bau Portal

The impact of electron beam damage on the detection of indium-rich localisation centres in InGaN quantum wells using transmission electron microscopy

Smeeton, T. M. / Humphreys, C. J. / Barnard, J. S. / Kappers, M. J.

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Titel:

The impact of electron beam damage on the detection of indium-rich localisation centres in InGaN quantum wells using transmission electron microscopy

Beteiligte:

Smeeton, T. M. (Autor:in) / Humphreys, C. J. (Autor:in) / Barnard, J. S. (Autor:in) / Kappers, M. J. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE ; 41 ; 2729-2737

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

9 pages

ISSN:

0022-2461

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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