Properties of dislocation networks formed by Si wafer direct bonding: Fid-Bau Portal

Properties of dislocation networks formed by Si wafer direct bonding

Yu, X. / Arguirov, T. / Kittler, M. / Seifert, W. / Ratzke, M. / Reiche, M.

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Titel:

Properties of dislocation networks formed by Si wafer direct bonding

Beteiligte:

Yu, X. (Autor:in) / Arguirov, T. (Autor:in) / Kittler, M. (Autor:in) / Seifert, W. (Autor:in) / Ratzke, M. (Autor:in) / Reiche, M. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 9 ; 96-101

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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