Depth profiling using C60+ SIMS-Deposition and topography development during bombardment of silicon: Fid-Bau Portal

Depth profiling using C60+ SIMS-Deposition and topography development during bombardment of silicon

Gillen, G. / Batteas, J. / Michaels, C. A. / Chi, P. / Small, J. / Windsor, E. / Fahey, A. / Verkouteren, J. / Kim, K. J.

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Titel:

Depth profiling using C60+ SIMS-Deposition and topography development during bombardment of silicon

Beteiligte:

Gillen, G. (Autor:in) / Batteas, J. (Autor:in) / Michaels, C. A. (Autor:in) / Chi, P. (Autor:in) / Small, J. (Autor:in) / Windsor, E. (Autor:in) / Fahey, A. (Autor:in) / Verkouteren, J. (Autor:in) / Kim, K. J. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 252 ; 6521-6525

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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