Fundamental characterization of the effect of nitride sidewall spacer process on boron dose loss in ultra-shallow junction formation: Fid-Bau Portal

Fundamental characterization of the effect of nitride sidewall spacer process on boron dose loss in ultra-shallow junction formation

Kohli, P. / Chakravarthi, S. / Jain, A. / Bu, H. / Mehrotra, M. / Dunham, S. T. / Banerjee, S. K.

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Titel:

Fundamental characterization of the effect of nitride sidewall spacer process on boron dose loss in ultra-shallow junction formation

Beteiligte:

Kohli, P. (Autor:in) / Chakravarthi, S. (Autor:in) / Jain, A. (Autor:in) / Bu, H. (Autor:in) / Mehrotra, M. (Autor:in) / Dunham, S. T. (Autor:in) / Banerjee, S. K. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 114/115 ; 390-396

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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