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    Titel:

    Characterization of HfOxNy gate dielectrics using a hafnium oxide as target

    Beteiligte:

    Liu, M. (Autor:in) / Fang, Q. (Autor:in) / He, G. (Autor:in) / Zhu, L. Q. (Autor:in) / Zhang, L. D. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 252 ; 8673-8676

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2006

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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