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    Titel:

    Structural and interfacial properties of high-k HfOxNy gate dielectric films

    Beteiligte:

    He, G. (Autor:in) / Fang, Q. (Autor:in) / Zhang, L. D. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 9 ; 870-875

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2006

    Format / Umfang:

    6 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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