Development and Investigation on EBAS-100 of 100 mm Diameter Wafer for 4H-SiC Post Ion Implantation Annealing: Fid-Bau Portal

Development and Investigation on EBAS-100 of 100 mm Diameter Wafer for 4H-SiC Post Ion Implantation Annealing

Shibagaki, M. / Satoh, M. / Kurematsu, Y. / Numajiri, K. / Watanabe, F. / Haga, S. / Miura, K. / Suzuki, T. / Miyagawa, S.

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Titel:

Development and Investigation on EBAS-100 of 100 mm Diameter Wafer for 4H-SiC Post Ion Implantation Annealing

Beteiligte:

Shibagaki, M. (Autor:in) / Satoh, M. (Autor:in) / Kurematsu, Y. (Autor:in) / Numajiri, K. (Autor:in) / Watanabe, F. (Autor:in) / Haga, S. (Autor:in) / Miura, K. (Autor:in) / Suzuki, T. (Autor:in) / Miyagawa, S. (Autor:in) / Devaty, R. P.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 807-810

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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