Precipitates caused by prolonged high-temperature annealing in floating zone silicon wafer grown from Czochralski single-crystal rod: Fid-Bau Portal

Precipitates caused by prolonged high-temperature annealing in floating zone silicon wafer grown from Czochralski single-crystal rod

Nakazawa, H. / Ogino, M. / Teranishi, H. / Takahashi, Y. / Habuka, H.

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Titel:

Precipitates caused by prolonged high-temperature annealing in floating zone silicon wafer grown from Czochralski single-crystal rod

Beteiligte:

Nakazawa, H. (Autor:in) / Ogino, M. (Autor:in) / Teranishi, H. (Autor:in) / Takahashi, Y. (Autor:in) / Habuka, H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 16 ; 923-927

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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