Interface characterization of Si-passivated HfO2 germanium capacitors using DLTS measurements: Fid-Bau Portal

Interface characterization of Si-passivated HfO2 germanium capacitors using DLTS measurements

Martens, K. / Simoen, E. / De Jaeger, B. / Meuris, M. / Groeseneken, G. / Maes, H.

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Titel:

Interface characterization of Si-passivated HfO2 germanium capacitors using DLTS measurements

Beteiligte:

Martens, K. (Autor:in) / Simoen, E. (Autor:in) / De Jaeger, B. (Autor:in) / Meuris, M. (Autor:in) / Groeseneken, G. (Autor:in) / Maes, H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 9 ; 749-752

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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