Formation of Ge islands from a Ge layer on Si substrate during post-growth annealing: Fid-Bau Portal

Formation of Ge islands from a Ge layer on Si substrate during post-growth annealing

Kovacevic, I. / Pivac, B. / Dubcek, P. / Zorc, H. / Radic, N. / Bernstorff, S. / Campione, M. / Sassella, A.

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Titel:

Formation of Ge islands from a Ge layer on Si substrate during post-growth annealing

Beteiligte:

Kovacevic, I. (Autor:in) / Pivac, B. (Autor:in) / Dubcek, P. (Autor:in) / Zorc, H. (Autor:in) / Radic, N. (Autor:in) / Bernstorff, S. (Autor:in) / Campione, M. (Autor:in) / Sassella, A. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 253 ; 3034-3040

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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