Tensile strained Ge quantum wells on Si substrate: Post-growth annealing versus low temperature re-growth: Fid-Bau Portal

Tensile strained Ge quantum wells on Si substrate: Post-growth annealing versus low temperature re-growth

Suess, M. J. / Carroll, L. / Sigg, H. / Diaz, A. / Chrastina, D. / Isella, G. / Muller, E. / Spolenak, R.

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Titel:

Tensile strained Ge quantum wells on Si substrate: Post-growth annealing versus low temperature re-growth

Beteiligte:

Suess, M. J. (Autor:in) / Carroll, L. (Autor:in) / Sigg, H. (Autor:in) / Diaz, A. (Autor:in) / Chrastina, D. (Autor:in) / Isella, G. (Autor:in) / Muller, E. (Autor:in) / Spolenak, R. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B ADVANCED FUNCTIONAL SOLID STATE MATERIALS ; 177 ; 696-699

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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