Effect of rapid thermal annealing of sputtered aluminium nitride film in an oxygen ambient: Fid-Bau Portal

Effect of rapid thermal annealing of sputtered aluminium nitride film in an oxygen ambient

Jang, K. / Lee, K. / Kim, J. / Hwang, S. / Lee, J. / Kumar Dhungel, S. / Jung, S. / Yi, J.

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Titel:

Effect of rapid thermal annealing of sputtered aluminium nitride film in an oxygen ambient

Beteiligte:

Jang, K. (Autor:in) / Lee, K. (Autor:in) / Kim, J. (Autor:in) / Hwang, S. (Autor:in) / Lee, J. (Autor:in) / Kumar Dhungel, S. (Autor:in) / Jung, S. (Autor:in) / Yi, J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 9 ; 1137-1141

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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