The effect of Si surface nitridation on the interfacial structure and electrical properties of (La2O3)0.5(SiO2)0.5 high-k gate dielectric films: Fid-Bau Portal

The effect of Si surface nitridation on the interfacial structure and electrical properties of (La2O3)0.5(SiO2)0.5 high-k gate dielectric films

Gao, L. G. / Yin, K. B. / Chen, L. / Guo, H. X. / Xia, Y. D. / Yin, J. / Liu, Z. G.

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Titel:

The effect of Si surface nitridation on the interfacial structure and electrical properties of (La2O3)0.5(SiO2)0.5 high-k gate dielectric films

Beteiligte:

Gao, L. G. (Autor:in) / Yin, K. B. (Autor:in) / Chen, L. (Autor:in) / Guo, H. X. (Autor:in) / Xia, Y. D. (Autor:in) / Yin, J. (Autor:in) / Liu, Z. G. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 256 ; 90-95

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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