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    Titel:

    Field-effect transistor based on a combination of nanometer film and undoped semiconductor

    Beteiligte:

    Yang, Q. (Autor:in) / Li, D. (Autor:in) / Yao, B. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 253 ; 3927-3929

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2007

    Format / Umfang:

    3 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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