Influence of thermal treatment of low dielectric constant SiOC(H) films using MTES/O2 deposited by PECVD: Fid-Bau Portal

Influence of thermal treatment of low dielectric constant SiOC(H) films using MTES/O2 deposited by PECVD

Navamathavan, R. / Kim, S. H. / Jang, Y. J. / Jung, A. S. / Choi, C. K.

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Titel:

Influence of thermal treatment of low dielectric constant SiOC(H) films using MTES/O2 deposited by PECVD

Beteiligte:

Navamathavan, R. (Autor:in) / Kim, S. H. (Autor:in) / Jang, Y. J. (Autor:in) / Jung, A. S. (Autor:in) / Choi, C. K. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 253 ; 8788-8793

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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