High Temperature Applications of 4H-SiC Vertical Junction Field-Effect Transistors and Schottky Diodes: Fid-Bau Portal

High Temperature Applications of 4H-SiC Vertical Junction Field-Effect Transistors and Schottky Diodes

Bhatnagar, P. / Wright, N. G. / Horsfall, A. / Johnson, C. M. / Uren, M. J. / Hilton, K. P. / Munday, A. G. / Hydes, A. J.

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Titel:

High Temperature Applications of 4H-SiC Vertical Junction Field-Effect Transistors and Schottky Diodes

Beteiligte:

Bhatnagar, P. (Autor:in) / Wright, N. G. (Autor:in) / Horsfall, A. (Autor:in) / Johnson, C. M. (Autor:in) / Uren, M. J. (Autor:in) / Hilton, K. P. (Autor:in) / Munday, A. G. (Autor:in) / Hydes, A. J. (Autor:in) / Wright, N. / Johnson, C. M.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2006 ; 987-990

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 556/557

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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