1200-V, 50-A, Silicon Carbide Vertical Junction Field Effect Transistors for Power Switching Applications: Fid-Bau Portal

1200-V, 50-A, Silicon Carbide Vertical Junction Field Effect Transistors for Power Switching Applications

Veliadis, V. / McNutt, T. / McCoy, M. / Hearne, H. / De Salvo, G. / Clarke, C. / Potyraj, P. / Scozzie, C.J.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

1200-V, 50-A, Silicon Carbide Vertical Junction Field Effect Transistors for Power Switching Applications

Veliadis, V. / McNutt, T. / McCoy, M. / Hearne, H. / De Salvo, G. / Clarke, C. / Potyraj, P. / Scozzie, C.J.

1200-V, 50-A, Silicon Carbide Vertical Junction Field Effect Transistors for Power Switching Applications

Veliadis, V. / McNutt, T. / McCoy, M. / Hearne, H. / De Salvo, G. / Clarke, C. / Potyraj, P. / Scozzie, C.J.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Dokumentinformationen

Titel:

1200-V, 50-A, Silicon Carbide Vertical Junction Field Effect Transistors for Power Switching Applications

Beteiligte:

Veliadis, V. (Autor:in) / McNutt, T. (Autor:in) / McCoy, M. (Autor:in) / Hearne, H. (Autor:in) / De Salvo, G. (Autor:in) / Clarke, C. (Autor:in) / Potyraj, P. (Autor:in) / Scozzie, C.J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 600/603 ; 1047-1050

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

Zhao, J. H. | British Library Online Contents | 2005

Avalanche Breakdown Energy in Silicon Carbide Junction Field Effect Transistors

Hinojosa, M. / Bayne, S. / Veliadis, V. et al. | British Library Online Contents | 2012

Reliable Operation of 1200-V SiC Vertical Junction-Field-Effect-Transistor Subjected to 16,000-Pulse Hard Switching Stressing

Lawson, K. / Alvarez, G. / Bayne, S.B. et al. | British Library Online Contents | 2012

Optimization of Vertical Silicon Carbide Field Effect Transistors towards a Cost Attractive SiC Power Switch

Friedrichs, P. / Elpelt, R. / Schorner, R. et al. | British Library Online Contents | 2004

High Temperature Applications of 4H-SiC Vertical Junction Field-Effect Transistors and Schottky Diodes

Bhatnagar, P. / Wright, N. G. / Horsfall, A. et al. | British Library Online Contents | 2007

Nach oben