New Diode Designs Compatible with Vertical 4H-SiC JFET Fabrication Process: Fid-Bau Portal

New Diode Designs Compatible with Vertical 4H-SiC JFET Fabrication Process

Brosselard, P. / Tournier, D. / Vellvehi, M. / Montserrat, J. / Godignon, P. / Millan, J.

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Titel:

New Diode Designs Compatible with Vertical 4H-SiC JFET Fabrication Process

Beteiligte:

Brosselard, P. (Autor:in) / Tournier, D. (Autor:in) / Vellvehi, M. (Autor:in) / Montserrat, J. (Autor:in) / Godignon, P. (Autor:in) / Millan, J. (Autor:in) / Wright, N. / Johnson, C. M. / Vassilevski, K. / Nikitina, I.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2006 ; 1003-1006

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 556/557

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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