Anisotropy of chemical mechanical polishing in silicon carbide substrates: Fid-Bau Portal

Anisotropy of chemical mechanical polishing in silicon carbide substrates

Chen, X. F. / Xu, X. G. / Hu, X. B. / Li, J. / Jiang, S. Z. / Ning, L. N. / Wang, Y. M. / Jiang, M. H.

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Titel:

Anisotropy of chemical mechanical polishing in silicon carbide substrates

Beteiligte:

Chen, X. F. (Autor:in) / Xu, X. G. (Autor:in) / Hu, X. B. (Autor:in) / Li, J. (Autor:in) / Jiang, S. Z. (Autor:in) / Ning, L. N. (Autor:in) / Wang, Y. M. (Autor:in) / Jiang, M. H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 142 ; 28-30

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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